当前状态
位错塞积主导
霍尔—佩奇支
材料Cu（fcc）
晶粒 d10.0 μm
载荷 λ0.60
切应力 τ26.6 MPa
屈服 τ_y44.3 MPa
塞积数 n21.7
n_yield36.1
集中 nτ0.58 GPa（36% τ_c）
触发 τ_c1.60 GPa
临界 d_c7.7 nm
屈服 σ_y57 MPa
晶界 f_gb0.03%
k_y塞积 0.43 / 实测 0.10 MPa·m^½
τ 在塞积里出现两次，指数 −1/2；n_yield < 1 转入反霍尔—佩奇。
拖 d 看塞积位错增减；拖 λ 或按 ▶，把 nτ 推到 τ_c。
λ = τ/τ_y n = τd/(Gb) nτ = λ²τ_c τ_c = G/30
n_yield = √(τ_c d/(Gb)) τ_y = √(τ_c G b/d) d_c = Gb/τ_c = 30b f_gb ≈ 3δ/d
G = 48 GPa，b = 0.256 nm；σ_0 = 25 MPa 为示意值（教材未给）；f_gb 严格式 0.03%；d_c = 30b 由本模型算出，教材给 10–30 nm。